Journals

  1. Yoshisato Yokoyama, Takashi Fukushige, Seiichi Hata, Kazuya Masu, and Akira Shimokohbe, “On-Chip Variable Inductor Using Microelectromechanical Systems Technology,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 42, No. 4B, pp. 2190-2192, 2003.
  2. Masahiro Yamaguchi, Yoshisato Yokoyama, Shinji Ikeda, Takashi Kuribara, Kazuya Masu, and Kenichi Arai, “Equivalent Circuit Analysis of RF Integrated Inductors with/without Ferromagnetic Material,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 42, No. 4B, pp. 2210-2213, 2003.

International Conferences

  1. Hidenari Nakashima, Junpei Inoue, Kenichi Okada, and Kazuya Masu, “ULSI Interconnect Length Distribution Model Considering Core Utilization,” Design Automation and Test in Europe, No. 2, pp. 1210-1215, February 2004.
  2. Hirotaka Sugawara, Hiroyuki Ito, Kenichi Okada, and Kazuya Masu, “Modeling for Variable RF Inductor on Si CMOS Chip,” International Workshop on Compact Modeling, pp. 24-28, January 2004.
  3. Hiroyuki Ito, Kenichi Okada, and Kazuya Masu, “Low Crosstalk Bus Line Configuration Using Differential Transmission Line Interconnect on Si ULSI,” Asia-Pacific Microwave Conference, No. 2, pp. 1006-1009, November 2003.
  4. Hiroyuki Ito, Shinichiro Gomi, Hirotaka Sugawara, Kenichi Okada, and Kazuya Masu, “Low Crosstalk Differential Transmission Line Interconnect on Si ULSI,” Advanced Metallization Conference (AMC), pp. 9-10, October 2003; Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 56-57, September 2003; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2003, pp. 53-58.
  5. Manabu Sakamoto, Kazuya Masu, Tomoyuki Yoshihama, Yusuke Miyaguchi, Se Ju Lim, Masanobu Hatanaka, and Yuji Furumura, “Effect of Underlayer for Flow-Al/CVD-Al Filling Technology,” Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp.70-71, September 2003; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2003, pp. 595-599.
  6. Manabu Sakamoto, Tomoharu Aoki, Kazuya Masu, Se Ju Lim, Masanobu Hatanaka, Michio Ishikawa, and Yuji Furumura, “Flow-Al/CVD-Al Technology for Filling Large Aspect Ratio Contact Holes,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 262-263, September 2003.
  7. Shinichiro Gomi, Yoshisato Yokoyama, Hirotaka Sugawara, Hiroyuki Ito, Kenichi Okada, Hiroaki Hoshino, Hidetoshi Onodera, and Kazuya Masu, “Variable RF Inductor on Si CMOS Chip,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 398-399, September 2003.
  8. Tomohiro Yamada, Hisashi Uesugi, Kenichi Okada, Kazuya Masu, Akio Oki, and Yasuhiro Horiike, “Preliminary Measurements for in-vivo Wireless Communication Chip,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 366-367, September 2003.
  9. Hidenari Nakashima, Naohiro Takagi, and Kazuya Masu, “Derivation of Interconnect Length Distribution in X Architecture LSIs,” IEEE International Interconnect Technology Conference, pp. 60-62, 2003.
  10. Kazuya Masu, Manabu Sakamoto, Jin I. Lee, Kei Furuta, Masanobu Hatanaka, Yoshikazu Takahashi, Michio Ishikawa, and Yuji Furumura, “Al-CVD Technology using MPA [methylpyrrolidine alane],” Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 52-53, 2002; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2002, pp. 445-450.
  11. Hiroyuki Ito, Hiyouko Shinoki, Yoshisato Yokoyama, and Kazuya Masu, “Transmission Line Interconnect Structure in Si ULSI,” MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2002, pp. 297-302.
  12. Hidenari Nakashima, Naohiro Takagi, and Kazuya Masu, “Extraction of Interconnect-Length-Distribution Parameters from CAD Data,” Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 74-75, 2002; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2002, pp. 285-290.
  13. Tomohiro Tsushima, F. Chan Hou Wan, Yoshisato Yokoyama, Kohichi Nakamura, and Kazuya Masu, “Comparison of GHz signal transmissionschemes in Si ULSI – RC line vs. transmission line -,” Int’l Semiconductor Technology Conference, p. 115, 2002.
  14. Takashi Fukushige, Yoshisato Yokoyama, Seiichi Hata, Kazuya Masu, and Akira Shimokohbe, “Fabrication and Evaluation of On-Chip Micro Variable Inductor,” Micro and Nanoengineering International Conference, pp. 210-211, 2002.
  15. Masahiro Yamaguchi, Yoshisato Yokoyama, Shinji Ikeda, Takashi Kuribara, Kazuya Masu, and Kenichi Arai, “Equivalent circuit analysis of RF integrated inductors with/without ferromagnetic material,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 650-651, 2002.
  16. Yoshisato Yokoyama, Takashi Fukushige, Seiichi Hata, Kazuya Masu, and Akira Shimokohbe, “On-Chip Variable Inductor Using MEMS Technology,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 306-307, 2002.
  17. Kazuya Masu, “Multilevel Interconnection in GHz ULSI,” Proceedings of the Sixth China-Japan Symposium on Thin Films, p. 162, 2001.
  18. Yoshisato Yokoyama, Tomohiro Tsushima, and Kazuya Masu, “GHz Clock Distribution Using Transmission Line Interconnect – New Criteria for Circuit Evaluation,” Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 52-53, 2001.
  19. Tomohiro Tsushima, Yoshisato Yokoyama, and Kazuya Masu, “CMOS Differential Driver Circuit with Source Follower for GHz Clock Transmission Interconnect in Si ULSI,” Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 50-51, 2001.
  20. Naohiro Takagi, Hiyouko Shinoki, and Kazuya Masu, “Estimation of Power Consumption Using Interconnect Length Distribution in System LSI,” Advanced Metallization Conference (AMC), p. 37, 2001; Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 48-49, 2001; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2001, pp. 121-125.
  21. Hiyouko Shinoki, Naohiro Takagi, and Kazuya Masu, “Interconnect Length Distribution for Memory-Logic Mixed LSI,” Advanced Metallization Conference (AMC), p. 34, 2001; Advanced Metallization Conference Asian Session (ADMETA), pp. 88-89, 2001; MRS Proceedings: Advanced Metallization Conference 2001, pp. 103-107.
  22. Yoshisato Yokoyama, Tomohiro Tsushima, Hiyouko Shinoki, Naohiro Takagi, and Kazuya Masu, “GHz Clock Distribution Using Transmission Line Interconnect and CMOS Differential Driver Circuit in Si ULSI,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 58-59, 2001.
  23. Naohiro Takagi, Hiyouko Shinoki, Tomohiro Tsushima, Yoshisato Yokoyama, and Kazuya Masu, “Interconnect Length Distribution in Si System ULSI,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 54-55, 2001.
  24. Kazuya Masu and Kazuo Tsubouchi, “GHz Signal Propagation through Transmission Line on ULSI Chip,” International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 420-421, 2000.

Tutorial Papers

N/A

Domestic Conferences

  1. 井上 淳平, 中島 英斉, 岡田 健一, 益 一哉, 「配線長分布を用いた65nmプロセスにおける配線構造の最適化」, 春季応用物理学会, 28a-P2-18, 2004年3月.
  2. 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「Si CMOSチップ内差動伝送線路の時間領域測定による評価」, 春季応用物理学会, 28a-YD-10, 2004年3月.
  3. 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「Si ULSI内差動伝送線路の時間領域測定による評価」, 電子情報通信学会 総合大会, A-3-23, 2004年3月.
  4. 佐藤 正和, 糸井 和久, 阿部 博史, 伊藤 浩之, 菅原 弘雄, 岡田 健一, 益 一哉, 伊藤 達也, 「ウエハレベルパッケージ内蔵高性能オンチップインダクタ」, 電子情報通信学会 総合大会, C-2-48, 2004年3月.
  5. 井上 淳平, 中島 英斉, 岡田 健一, 益 一哉, 「配線長分布を用いた65nmプロセスにおける配線構造最適化手法」, 電子情報通信学会 総合大会, A-3-21, 2004年3月.
  6. 山田 智浩, 菅原 弘雄, 岡田 健一, 沖 明男, 益 一哉, 堀池 靖浩, 「in vivo ワイヤレス通信チップ用送受信回路に関する研究」, 電子情報通信学会 総合大会, B-5-145, 2004年3月.
  7. 菅原 弘雄, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「MEMSを用いたRF可変インダクタのモデル化手法」, 電子情報通信学会 総合大会, C-12-31, 2004年3月.
  8. 吉原 義昭, 菅原 弘雄, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「可変インダクタを用いた広帯域CMOS VCOの設計」, 電子情報通信学会 総合大会, C-12-28, 2004年3月.
  9. 五味 振一郎, 中村 恒一, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「Si ULSIにおけるGHz帯差動伝送線路駆動受端回路の設計」, 電子情報通信学会 総合大会, A-3-24, 2004年3月.
  10. 伊藤 浩之, 菅原 弘雄, 岡田 健一, 島田 靖, 大島 俊之, 益 一哉, 「樹脂基板内RFスパイラルインダクタの評価」, エレクトロニクス実装学術講演大会, pp. 123-124, 2004年3月 (於 東京工業大学).
  11. 岡田 健一, 菅原 弘雄, 吉原 義昭, 五味 振一郎, 伊藤 浩之, 益 一哉, 「可変インダクタを用いた動的再構成RF回路設計技術」, 電気学会マグネティックス研究会, MAG-03-212, pp. 13-18, 2003年12月
  12. 吉原 義昭, 菅原 弘雄, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「動的再構成によるLC-VCOの広帯域化」, 電子情報通信学会デザインガイア, ICD2003-112, pp. 277-281, 2003年11月.
  13. 益 一哉, 「大学におけるファンドリを利用したRFIC開発の課題」, Microwave Workshops and Exhibition, 2003年11月27日.
  14. 益 一哉, 「LSIにおける伝送線路配線」, 電子情報通信学会 システムLSIワークショップ, 2003年11月26日.
  15. 岡田 健一, 中村 恒一, 吉原 義昭, 菅原 弘雄, 益 一哉, 「可変インダクタを用いた動的再構成RF回路設計技術」, 電子情報通信学会システムLSIワークショップ, pp. 243-246. 2003年11月.
  16. 益 一哉, 「LSIにおける伝送線路配線」, STARCシンポジウム, 2003年9月11日.
  17. 中島 英斉, 井上 淳平, 岡田 健一, 益 一哉, 「配置効率を考慮した配線長分布」, STARCシンポジウム, 2003年9月.
  18. 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「差動伝送線路を用いた Si ULSI内の広帯域バス構造」, STARCシンポジウム, 2003年9月.
  19. 中島 英斉, 井上 淳平, 岡田 健一, 益 一哉, 「配置効率を考慮した配線長分布予測」, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, A-3-4, 2003年9月.
  20. 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「差動伝送線路を用いた Si ULSI内の広帯域バス構造」, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, A-3-5, 2003年9月.
  21. 山田 智浩, 上杉 尚史, 岡田 健一, 沖 明男, 益 一哉, 堀池 靖浩, 「in vivoワイヤレス通信チップ用アンテナに関する研究-電磁波の人体透過特性-」, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, B-1-16, 2003年9月.
  22. 吉原 義昭, 菅原 弘雄, 五味 振一郎, 岡田 健一, 益 一哉, 「可変インダクタを用いた広帯域電圧制御発振器」, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, C-12-14, 2003年9月.
  23. 井上 淳平, 中島 英斉, 高木 直弘, 岡田 健一, 益 一哉, 「ネットリストからの配線長分布導出」, 秋季応用物理学会, 1p-YB-11, 2003年9月.
  24. 益 一哉, 「Si ULSIにおけるGHz信号配線技術」, STARCシンポジウム, pp. 95-99, 2003年9月13日.
  25. 山田 智浩, 上杉 尚史, 岡田 健一, 沖 明男, 益 一哉, 堀池 靖浩, 「in vivo ワイヤレス通信チップ用アンテナに関する研究 -電磁波の人体透過特性-」, 秋季応用物理学会, 30p-S-8, 2003年8月.
  26. 中村 恒一, 吉原 義昭, 岡田 健一, 益 一哉, 「Si ULSIにおける差動伝送線路駆動回路の設計」, 秋季応用物理学会, 31p-YD-8, 2003年8月.
  27. 吉原 義昭, 五味 振一郎, 中村 恒一, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「可変インダクタを用いた広帯域LC型電圧制御発振器」, 秋季応用物理学会, 31p-YD-9, 2003年8月.
  28. 伊藤 浩之, 五味 振一郎, 菅原 弘雄, 岡田 健一, 益 一哉, 「差動伝送線路を用いたSi ULSI内の低クロストークバスライン」, 秋季応用物理学会, 31p-YD-10, 2003年8月.
  29. 五味 振一郎, 横山 佳巧, 菅原 弘雄, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「MEMS技術を用いたRF可変インダクタ」, 秋季応用物理学会, 31p-YD-14, 2003年8月.
  30. 菅原 弘雄, 伊藤 浩之, 岡田 健一, 島田 靖, 大島 俊之, 岩井 洋, 益 一哉, 「電磁界解析を用いたボード内部受動素子の特性評価」, 秋季応用物理学会, 31p-YD-15, 2003年8月.
  31. 坂本 学, 青木 智治, 益 一哉, 吉浜 知之, 宮口 有典, 林 世周, 畠中 正信, 古村 雄二, 「Al-CVD/Al-PVDによるコンタクト埋め込み技術」, 秋季応用物理学会, 31p-YB-14, 2003年8月.
  32. 青木 智治, 坂本 学, 益 一哉, 吉浜 知之, 宮口 有典, 林 世周, 畠中 正信, 古村 雄二, 「FT-IRを用いたAl-CVD表面反応分析」, 秋季応用物理学会, 31p-YB-13, 2003年8月.
  33. 伊藤 浩之, 岡田 健一, 益 一哉, 「Si ULSI内の差動伝送線路の設計及び評価」, VDECデザイナーフォーラム, 2003年8月.
  34. 益 一哉, 「配線の設計と信頼性 」, 原子輸送研究会, 東京工業大学, 2004年7月16日.
  35. 益 一哉, 「SoC/SiP時代の配線アーキテクチャ 」, IEEE SSCS Kansai Chapter Technical Seminar, 2002年5月3日.
  36. 山田 智浩, 上杉 尚史, 益 一哉, 「in vivo ワイヤレス通信チップ用アンテナの伝搬特性」, 春季応用物理学会, 30p-S-8, 2003年3月.
  37. 中村 恒一, 対馬 朋人, 益 一哉, 「Si ULSIにおけるRC分布定数線路と伝送線路の比較」, 春季応用物理学会, 28a-ZV-8, 2003年3月.
  38. 中島 英斉, 高木 直弘, 益 一哉, 「X architecture LSIにおける配線長分布導出」, 春季応用物理学会, 28a-ZV-9, 2003年3月.
  39. 坂本 学, 益 一哉, 杉本 恵理, 李 珍一, 畠中 正信, 高橋 善和, 石川 道夫, 古村 雄二, 「MPA(methylpyrrolidine alane)を用いたAl-CVD技術に関する研究(Ⅱ)」, 春季応用物理学会, 28a-ZG-1, 2003年3月.
  40. 伊藤 浩之, 篠木 日曜子, 益 一哉, 「Si CMOSチップ上のGHz差動伝送線路の評価」, 春季応用物理学会, 28a-ZV-7, 2003年3月.
  41. 益 一哉, 「高速伝送線路配線技術」, 第50回応用物理学関係連合講演会シンポジウム グローバル・インテグレーション ― LSI配線技術のブレークスルー, 2003年2月28日
  42. 坂本学, 益 一哉, 杉本 恵理, 李 珍一, 畠中 正信, 高橋 善和, 石川 道夫, 古村 雄二, 「MPA(methylpyrrolidine alane)を用いたAl-CVD技術」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会, pp. 2-6, 2003年1月.
  43. 益 一哉, 「Si ULSIにおけるGHz信号配線技術」, STARCシンポジウム, pp. 95-99, 2002年9月.
  44. 益 一哉, 坂本 学, 李 珍一, 古田 啓, 畠中 信, 高橋 善和, 石川 道夫, 古村 雄二, 「MPA(methylpyrrolidine alane)用いたAl CVD技術」, 秋季応用物理学会, 26a-M-1, 2002年9月.
  45. 中村 恒一, 対馬 朋人, 益 一哉, 「Si ULSIにおける伝送線路配線駆動の検討(Ⅰ) – H-tree型GHzクロック分配回路におけるRC分布定数線路と伝送線路の比較 -」, 秋季応用物理学会, 26p-F-7, 2002年9月.
  46. 対馬 朋人, 中村 恒一, 益 一哉, 「Si ULSIにおける伝送線路配線駆動の検討(Ⅱ)―駆動回路の設計と試作―」, 秋季応用物理学会, 26p-F-8, 2002年9月.
  47. 伊藤 浩之, 篠木 日曜子, 益 一哉, 「Si ULSIにおける伝送線路配線構造の検討(Ⅰ)」, 秋季応用物理学会, 26p-F-9, 2002年9月.
  48. 篠木 日曜子, 伊藤 浩之, 益 一哉, 「Si ULSIにおける伝送線路配線構造の検討(Ⅱ)」, 秋季応用物理学会, 26p-F-10, 2002年9月.
  49. 高木 直弘, 中島 英斉, 益 一哉, 「Si ULSI配線長分布に関する考察〔Ⅰ〕」, 秋季応用物理学会, 26p-F-11, 2002年9月.
  50. 中島 英斉, 高木 直弘, 益 一哉, 「ULSI配線長分布解析〔Ⅱ〕」, 秋季応用物理学会, 26p-F-12, 2002年9月.
  51. 横山 佳巧, 福重 孝志, 秦 誠一, 益 一哉, 下河 辺明, 「MEMS技術によるオンチップ可変インダクタ」, 秋季応用物理学会, 26p-F-17, 2002年9月.
  52. チャン ホーワン, 対馬 朋人, 益 一哉, 「GHz信号分配におけるRC分布定数線路と伝送線路の比較」, 春季応用物理学会, 28a-YS-6, 2002年3月.
  53. 益 一哉, 上野 和良, 「巻頭言」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会, No. 36, p. 1, 2002年1月.
  54. 益 一哉, 「次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術」, デザインガイアパネル討論, 2001年11月28日.
  55. 篠木 日曜子, 高木 直弘, 益 一哉, 「システムLSI配線長分布(I)―導出―」, 秋季応用物理学会, 14a-P13-13, 2001年8月.
  56. 高木 直弘, 篠木 日曜子, 益 一哉, 「システムLSI配線長分布(II)―シミュレーション―」, 秋季応用物理学会, 14a-P13-14, 2001年8月.
  57. 対馬 朋人, 横山 佳巧, 益 一哉, 「伝送線路配線を用いたGHzクロック分配(I)―回路構成と電力解析―」, 秋季応用物理学会, 14a-P13-15, 2001年8月.
  58. 横山 佳巧, 対馬 朋人, 益 一哉, 「伝送線路配線を用いたGHzクロック分配(II)―H-Tree構成によるクロック分配―」, 秋季応用物理学会, 14a-P13-16, 2001年8月.
  59. チャン ホーワン, 対馬 朋人, 横山 佳巧, 益 一哉, 「「Si ULSIにおけるGHzクロック分配回路」RC分布定数線路と伝送線路の比較」, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, SDM2001-182, pp. 49-53, 2001年.
  60. 高木 直弘, 篠木 日曜子, 益 一哉, 「システムLSIにおける配線長分布」, 電子情報通信学会システムLSIワークショップ, pp.275-278, 2001年.
  61. 対馬 朋人, 横山 佳巧, Felix Chan Hou Wan, 益 一哉, 「Si ULSIにおける伝送線路を用いたGHzクロック分配と駆動回路の設計」, 電子情報通信学会デザインガイア, VLD2001-116, ICD2001-161, FTS2001-63, pp. 27-31, 2001年.
  62. 益 一哉, 「システムLSIにおける多層配線構造とその設計」, SEMIフォーラムジャパン, Session 4, pp. 6-10, 2001年8月.
  63. 益 一哉, 「LSIにおけるGHz高速配線技術」, 電子情報通信学会技術研究報告, ICD2001-12, pp. 87-94, 2001年4月.
  64. 益 一哉, 高木 直弘, 「ULSI配線長分布解析」, 春季応用物理学会, 31a-ZL-5, 2001年.
  65. 堀池 靖浩, 木村 紳一郎, 益 一哉, 「巻頭言:「超高速多層配線技術の課題と展望」特集へ向けて」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会, No. 15, p. 1, Feb. 2000年2月.
  66. 益 一哉, 坪内 和夫, 「GHz高速配線技術」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会, No. 15, pp. 26-30, 2000年2月.

Conferences/Meetings without Abstract

  1. 益 一哉, 「SoC/SiP時代の配線アーキテクチャ」, IEEE SSCS Kansai Chapter Technical Seminar, 2002年5月31日.
  2. 益 一哉, 「次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術」, デザインガイアパネル討論, 2001年11月28日.

Books

  1. 益 一哉, 「CVD技術」, 化学便覧 応用科学編 第6版, 丸善, pp. 310-315, 2003.
  2. 益 一哉, 坪内和夫, 「Al-CVD技術と装置・材料」, 2000半導体テクノロジー大全(電子ジャーナル), pp. 419-421, 2000.

Exhibitions

N/A

Other

  1. STARCニュース, “共同研究グループ便り”, 2003年10月25日.
  2. 応用電子物性分科会誌第9巻第3号, “Si ULSIプロセス”, 2003年8月30日.
  3. 電波新聞, “アルミCVDを使った埋め込み技術”, 2002年12月7日.
  4. 化学工業日報, “高アスペクト比コンタクトホール 90ナノアルミ配線可能”, 2002年12月5日.
  5. 益 一哉, “配線高速化の基礎と限界”, Tutorial Text on Advanced Metallization Conference Asian Session, pp. 13-32, 2001年10月29日.